818−BBバイアス受光器

818−BBシリーズバイアス光検出器はコスト効率の高い診断ツールであり、変調Q、モード同期、または高速変調レーザの信号を見ること、ピコ秒レーザアライメントなど、さまざまな高速応用に適している。

シリコン、紫外シリコン、GaAs、InGaAsのバージョン

上昇時間は35 psに達する

増幅検出器は26 dBまでの利得を提供することができる

ファイバ結合オプションによりアライメントが容易に

比較	モデル
	818-BB-21バイアス光検出器、300 ~ 1100 nm、シリコン、1.2 GHz
	818-BB-27バイアス光検出器、200 ~ 1100 nm、シリコン、200 MHz
	818-BB-30バイアス光検出器、1000-1600 nm、InGaAs、2 GHz
	818-BB-31バイアス光検出器、1000-1600 nm、InGaAs、1.5 GHz、FC入力ジャック
	818-BB-35バイアス光検出器、1000〜650 nm、InGaAs、12.5 GHz
	818-BB-36バイアス光検出器、1475〜2100 nm、拡張型InGaAs、12.5 GHz
	818-BB-36Fバイアス光検出器、1475-2100 nm、拡張型InGaAs、12.5 GHz、FC/UPC
	818-BB-40バイアス光検出器、300 ~ 1100 nm、シリコン、25 MHz
	818-BB-45バイアス光検出器、400 ~ 900 nm、GaAs、12.5 GHz
	818-BB-45AF増幅バイアス光検出器、交流結合、400-900 nm、GaAs、9 GHz、FC/UPC

製品仕様

Silicon Photodetectors

モデル	818-BB-21	818-BB-27	818-BB-40
プローブ材料	Silicon	UV Enhanced Silicon	Silicon
バイアス電圧/バイアス電圧	9 V	24 V	24 V
検出器タイプ	PIN	PIN	PIN
プローブ直径	0.4 mm	2.55 mm	4.57 mm
じゅしんかく	10°	50°	60°
波長範囲	300-1100 nm	200-1100 nm	350-1100 nm
3 dB帯域幅
じょうしょうじかん	<300 ps	3ns	<30 ns
レスポンス度	0.47 A/W @ 830 nm	0.56 A/W @ 830 nm	0.6 A/W @ 830 nm
しゅつりょくつぎて	BNC	BNC	BNC
NEP	<0.01 pW/√Hz	<0.1 pW/√Hz	<0.09 pW/√Hz
ほうわでんりゅう	3 mA	2.5 mA	2 mA
ジャンクションキャパシタンス	<1.5 pF	<25 pF	<45 pF
ぎゃくほうこうはかいでんあつ	20 V	150 V	50 V
ねじタイプ	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

GaAs and InGaAs Photodetectors

モデル	818-BB-30	818-BB-31	818-BB-35	818-BB-45	818-BB-51
プローブ材料	InGaAs	InGaAs	InGaAs	GaAs	Extended InGaAs
バイアス電圧/バイアス電圧	6 V	6 V	6 V	3 V	3 V
検出器タイプ	PIN	PIN	PIN	PIN	PIN
プローブ直径	0.1 mm	0.1 mm	0.032 mm		0.040 mm
じゅしんかく	20°	20°	30°	15°	20°
波長範囲	1000-1600 nm	1000-1600 nm	1000-1650 nm	500-890 nm	830-2150 nm
3 dB帯域幅	DC to 2 GHz	DC to 2 GHz	DC to 15 GHz	DC to 12.5 GHz	DC to 10 GHz
じょうしょうじかん	175 ps	175 ps	25 ps	30 ps	28 ps
レスポンス度	0.8 A/W @ 1300 nm	0.9 A/W @ 1300 nm	0.88 A/W @ 1550 nm	0.53 A/W @ 830 nm	1.3 A/W @ 2.0 µm
しゅつりょくつぎて	BNC	BNC	SMA	SMA	SMA
NEP	<0.1 pW/√Hz	0.1 pW/√Hz	<0.04 pW/√Hz	<0.02 pW/√Hz at 830 nm	<0.44 pW/√Hz @ 2000 nm
ほうわでんりゅう	5 mA	10 mA	10 mA	10 mA
ジャンクションキャパシタンス	<0.75 pF	<1.25 pF	<0.12 pF	<0.3 pF
ぎゃくほうこうはかいでんあつ	25 V	25 V	25 V	30 V
ねじタイプ	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4	8-32 and M4

特徴

シリコンバージョンとバイオレットがいぶきょうかシリコンバージョン

818-BB-20、-21と-40は自由空間、小面積、大面積シリコン検出器で構成され、上昇時間は300 ps-1.5 nsの間である。818-BB-40を除いて、各装置は標準的な3 Vリチウム電池と50オームBNCコネクタ出力からなる内蔵バイアス電源を含む。電池は簡単に交換でき、使用しない場合はプローブとオシロスコープ入力の接続を切断することで電池の寿命を延長することができます。818-BB-40には24 VDCの外付け電源が付属しています。818-BB-27拡張された紫外応答のシリコン検出器を構成しているので、Nd：YAG、Nd：YLFまたはその他のネオジムガラスレーザの第4高調波およびエキシマレーザに非常に適しています。さらに、その広い有効面積と高速な応答時間は、200〜1100 nm帯域範囲の汎用バイアス検出器になる。迅速な応答を得るために、この検出器には24 VDC外部電源が搭載されています。

UV-Enhanced Silicon Free Space Detector

The 818-BB-27 consists of a silicon detector with an enhanced ultraviolet response, making it well suited for the fourth harmonic Nd:YAG, YLF or Glass Lasers and Excimer Lasers. Additionally, its large active area and fast response time make it an excellent general-purpose biased detector for the 200 to 1100 nm wavelength region. To attain its fast response, this detector comes with a 24 VDC external power supply.

InGaAs Free Space Detectors

The 818-BB-30, -31, and -35
consist of free-space, small and large area
InGaAs detectors, with rise times ranging from 300 ps to 1.5 ns for covering the 1000-1600 nm wavelength range. Each unit includes a built-in bias supply consisting of standard 3 V lithium cells and a 50 ohm BNC connector output. The 818-BB-51 features an extended InGaAs photodetector with a wavelength range of
1475–2100 nm.

GaAsおよびInGaAsバージョン

818-BB-30、−31、−35、−45及び−51は自由空間、小面積及び大面積GaAs又はInGaAs検出器からなり、立上り時間は300 ps−1.5 nsの間である。各デバイスは、標準的な3 Vリチウム電池と50オームBNCコネクタ出力からなる内蔵バイアス電源を備えています。電池は簡単に交換でき、使用しない場合はプローブとオシロスコープ入力の接続を切断することで電池の寿命を延長することができます。

光コネクタロッド取付

818−BBバイアス受光器の底部に位置する8−32ねじ穴は、光学接合ロッドを取り付けるために使用することができる。

ESD保護に注意する

これらの検出器は静電気放出（ESD）の影響を受けやすく破損しやすい。これらのデバイスをパッケージ解除して操作する場合は、FK-STRAPなどのESD保護措置を使用してください。

上昇時間は25 psに達する

818-BB-35および818-BB-45フォトダイオード検出器モジュールは、12.5 GHz帯域幅の超高速測定に低コストのソリューションを提供します。これらの検出器は、変調Qおよび超高速レーザ出力分析のために検出器の立ち上がり時間<25 ps（818−BB−45の場合は<30 ps）を必要とする用途に適している。これらの検出器には3 Vリチウム電池も使用されています（提供済み）。